RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
69
83
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
83
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
1663
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link