RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
69
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2900
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link