RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
69
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3045
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link