RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
69
Autour de -263% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3383
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link