RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
69
Autour de -176% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3845
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link