RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
22.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
22.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3697
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link