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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
69
Autour de -116% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2952
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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