RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2447
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link