RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
69
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3034
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link