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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3084
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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