RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
69
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2913
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link