RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
69
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
48
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2431
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link