RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
69
85
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
85
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
1772
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link