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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
58
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2332
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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