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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
58
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2577
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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