RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
76
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.4
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
76
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
1624
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link