RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
58
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2569
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link