RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
58
Autour de -57% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2356
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link