RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
58
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2951
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link