RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
58
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2935
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link