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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
58
Autour de -61% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2835
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB Comparaison des RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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