RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
58
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2763
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link