RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
58
Autour de -164% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3110
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link