RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
58
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2489
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link