RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
58
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
17.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3907
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link