RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
85
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
85
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1277
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link