RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3741
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link