RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
5.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1966
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link