RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
65
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
65
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2042
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link