RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3089
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link