RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3129
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link