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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3226
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
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