RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3324
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link