RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3611
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link