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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
46
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
20
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3558
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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