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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3790
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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