RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3761
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link