RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
4106
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link