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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2660
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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