RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3494
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link