RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3404
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link