RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3825
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link