RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
46
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2650
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link