RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
65
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
65
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1921
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link