RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2652
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link