RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3047
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link