RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3418
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link