RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3327
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991586 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link