RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
46
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2509
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link