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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1718
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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